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掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法

1031   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 22:00:41
本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法,原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF3,其化学式为:Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1,Gd与Y是性质相近的稀土元素,Gd离子半径比Y离子半径大4%,刚好介于Nd3+与Y3+之间,大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格,减小了晶体的内部张力,同时减小Y3+附近刃型位错应变能,从而可以抑制位错的迁移和重排,从而降低位错的密度,即抑制小角晶界的形成,可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性,获得高光学质量,物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体,其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%,该激光晶体采用提拉法进行生长,工艺简单,能够实现大规模低成本的批量生产。
声明:
“掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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