有色金属失效分析技术理论与应用

纤维缠绕气瓶风险评价方法 639     

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本发明提供了一种纤维缠绕气瓶风险评价方法，包括：步骤1、获取被评纤维缠绕气瓶的数据，编写全面检验报告；步骤2、计算关于气瓶的气瓶瓶体，固定装置，气瓶端塞，管路，腐蚀与老化的权重，并建立纤维缠绕气瓶腐蚀与老化评分细则；步骤3、根据步骤1得到的全面检验报告，按照移动式承压设备动态风险评估模型以及补充的腐蚀老化细则完成失效可能性以及失效后果打分；步骤4、根据步骤3的打分结果，计算失效可能性概率。步骤5、根据失效概率判断其失效可能性等级，失效后果得分判断其失效后果等级，综合分析纤维缠绕气瓶的风险矩阵，并确定其风险等级。

面向智能电网的系统内在坚强性评价方法 605     

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本发明属于智能电网评估技术领域，尤其涉及一种面向智能电网的系统内在坚强性评价方法，包括：将系统中各组成单元的故障失效模式进行分类；在系统结构和功能分析的基础上，通过定义来表征系统组成、功能、故障及测试之间相关性；建立系统的故障矩阵，矩阵的行和列分别对应不同的故障失效模式和各组成单元的信号；分析冗余量测，确定过量测情况下最小量测集；分析模糊组故障，确定可定位故障数目、隐含性故障以及虚假故障。利用最小量测集和模糊组集合来指导规划量测体系；利用冗余量测，模糊组故障，以及隐含故障和虚假故障来指导故障诊断算法的设计。避免了事后评估的盲目性，对设备维修提供指导，对内在坚强性进行客观评估。

气缸盖分区疲劳寿命预估方法 609     

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本发明提供了一种气缸盖分区疲劳寿命预估方法，首先对气缸盖热机耦合失效机理进行仿真分析，确定不同失效模式之间的判定准则，再根据不同区域的失效模式对气缸盖进行分区，针对特定的失效模式采用不同的疲劳损伤及寿命预测模型，分区预估气缸盖疲劳寿命。针对气缸盖不同部位材料特性、载荷工况不同的问题，确定一种分区疲劳分析方法预估气缸盖疲劳寿命，减少常规疲劳分析中由于失效模式不同导致的偏差问题，并且为采用软件一次性完成整个气缸盖疲劳寿命预估提供了技术支撑。

基于虚拟仿真的自动驾驶车辆道路行驶适应性评价方法 762     

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本申请涉及一种基于虚拟仿真的自动驾驶车辆道路行驶适应性评价方法。该方法包括：获取自动驾驶车辆行驶工况信息；利用车辆行驶工况信息在仿真软件中构建自动驾驶车辆仿真测试场景并进行测试，得到可获取视距；基于不同自动驾驶等级的需求停车视距与可获取视距，建立自动驾驶视距失效功能函数；基于自动驾驶视距失效功能函数对目标道路的各位置点的自动驾驶视距失效概率进行分析，获得各位置点的自动驾驶视距失效概率；根据目标道路的分段结果和各位置点的自动驾驶视距失效概率进行分析，确定自动驾驶车辆沿目标道路行驶的各分段的适应性评价结果。能够高效、安全地量化评估自动驾驶车辆在目标道路上的行驶适应性。

核电装备的系统可靠性评估方法 721     

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本发明属于系统可靠性分析与设计技术领域，具体公开了一种核电装备的系统可靠性评估方法，首先，根据核电装备的功能结构分解及相关故障信息来对装备进行故障模式及其影响分析；基于故障树分析方法建立装备的故障树模型；然后，建立装备的可靠度预计与分配模型；建立考虑共因失效的可靠度分析模型；在前面分析的基础之上，考虑服役期间的维修因素后，建立基于可靠度的维修策略分析模型，来制定定期检维护策略；最后，基于人因工程仿真平台，建立装备检维护仿真模拟模型，来分析具体的检维护过程；通过本发明建立的模型能够为实际核电装备设计、运行、维修规划等方面提供重要参考与指导。

集成电路修补算法确定方法及装置、存储介质、电子设备 960     

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本公开涉及计算机技术领域，尤其涉及一种集成电路修补算法确定方法及装置、存储介质、电子设备。所述方法包括：获取待修补集成电路的失效测试单元数据；根据所述失效测试单元数据并结合由深度学习网络构建的类型分析模型获取所述待修补集成电路的失效单元分布类型；根据所述失效单元分布类型在修补算法库中获取各候选修补算法对所述失效单元分布类型的修补性能指标，并将所述修补性能指标最优的所述候选修补算法确定为目标修补算法。本公开使得对每个待修补集成电路的修补均可达到修补率最高、修补电路的使用数量最少、修补分析时间最短等，同时提高了修补效率和准确率，同时也降低了修补成本。

芳纶特纺材料高温老化寿命在线无损评估方法 925     

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本发明提供了一种芳纶特纺材料高温老化寿命在线无损评估方法，包括以下步骤：(1)制备两组芳纶面料样品；(2)测定第一组芳纶面料样品不同高温老化时间下的断裂强力值；(3)采用色差仪对第二组样品中各芳纶面料样品进行色度特征值测量，与原始样品作对比计算色差值，根据色差值与断裂强力关系绘制标准曲线，计算拟合出断裂强力值色差分析方程，通过方程得出芳纶面料失效时色差临界值；(4)在外场用色差仪扫描待测芳纶面料，对比色差临界值判定其是否失效，若未失效，将待测样品色差值代入断裂强力值色差分析方程，计算出待测样品断裂强力值，对照标准数据即得待测样品剩余高温老化寿命时间。本发明具有测试方便、成本低、效率高等特点。

异种材料电阻点焊材料卡的标定方法 940     

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本发明涉及一种异种材料电阻点焊材料卡的标定方法，具体包括以下步骤：根据焊接标准，试验获得异种材料的焊接窗口；对焊接窗口临界点做如下三种焊接失效试验：十字拉伸试验、抗剪拉伸试验、拉拔拉伸试验；通过万能试验机获得异种材料的十字拉伸破坏力、抗剪拉伸破坏力、拉拔拉伸试验破坏力，计算得到不同焊接失效模式的试样的平均力；制作材料卡，根据焊接失效试验条件设定有限元分析的约束工况，计算十字拉伸、抗剪拉伸、拉拔拉伸三种焊接失效模拟过程的载荷和位移曲线，并与试验结果进行对比分析。优点是：利用有限元分析方法建立异种材料的电阻点焊的断裂失效模型，能够预测整车CAE碰撞过程的关键敏感部位焊点失效。

长寿命、高可靠电子产品可靠性评估方法 619     

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本发明的长寿命、高可靠电子产品可靠性评估方法包括以下步骤：寻找电子产品的最薄弱功能模块；设计加速退化试验；数据统计分析；以及确定可靠性模型；所述数据统计分析具体为：通过数据折算将步进加速退化数据转化成恒定应力加速退化数据；利用恒定应力加速退化数据拟合得到性能退化轨迹；根据性能失效阈值和性能退化轨迹得到伪失效寿命，将每个应力水平所对应的伪失效寿命数据进行分布假设检验，以确定伪失效寿命数据服从的分布函数；确定加速模型。本发明的长寿命、高可靠电子产品可靠性评估方法解决了试验样本短缺，试验时间有限的问题，有效提高了电子产品的试验效率，同时缩短了电子产品的可靠性评估时间。

基于空间聚类的wafer bin合并方法 1035     

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本发明公开了一种基于空间聚类的wafer bin合并方法，涉及半导体制造业技术领域。通过空间聚类的方式，将构成同一失效模式的不同bin自动的进行合并，与此同时，具有混合失效模式的wafer bin map也能被分解为多个单一的失效模式，本发明相较于传统的人工视检减少了主观判定，解决了按单bin分析时失效模式不完整的问题，为后续的良率根因中的共性分析提供了坚实的数据基础。

弹丸侵彻靶体损伤评估方法 812     

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本发明提供一种弹丸侵彻靶体损伤评估方法，包括如下步骤：确定目标靶体宏观失效破坏模式；回收并预处理目标靶体；断口形貌特征分析及元素分布测试；靶体微观演化特征金相观测及显微硬度测试；材料失效典型微观演化特征测试及分析；确定靶体微观易损性阈值；弹丸侵彻靶体损伤评估。本发明的弹丸侵彻靶体损伤评估方法的优势在于：基于材料微观演化特征评估目标损伤特性，从弹靶作用的微观损伤角度系统给出了弹靶作用后靶体全域的微观损伤特性演化规律，能够揭示侵彻过程中全域靶体的变形、损伤直至失效的全部响应规律，建立了材料宏观失效破坏模式与微观组织损伤之间的联系。

解剖塑封光耦的方法 855     

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本发明公开了一种解剖塑封光耦的方法，该方法包括：对塑封光耦进行内部成像；打磨塑封光耦，直至露出光耦隔离片；采用机械应力对塑封光耦进行解剖；去除光耦隔离片；采用腐蚀剂去除芯片表面的导光胶和键合点上残留物；采用有机溶剂对解剖后的塑封光耦进行清洗。本发明以一种简单、高效、低成本、高成功率的方法实现对塑封光耦的解剖，并且保证了器件内部结构完整、器件不会遗失、芯片表面干净，确保塑封光耦器件在失效分析和破坏性物理分析等分析工作中满足使用条件，有效提升了针对塑封光耦的分析能力，能很好满足失效分析中的失效定位分析以及破坏性物理分析中的内引线键合力、芯片剪切力等测试分析工作。

多功能样品台 620     

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本发明公开了一种多功能样品台，包括：样品台本体，其中，所述样品台本体采用非磁性材料或者非导体材料制成，所述样品台本体为半圆柱形且所述半圆柱形样品台本体的切面上开设有至少一个窗口。本发明的多功能样品台可以应用于现有的FIB和TEM系统中，同时还可以实现样品的原子位FIB剥层，纳米探针电测试和TEM分析三步失效分析工艺的有效集成。即在整个失效分析的流程中，不需要样品转移，因此，本发明的多功能样品台可以提高整个失效分析流程的成功率和效率，避免和减少样品在失效分析工作中的破损，丢失和污染。

提高透射电镜图像质量的平面样品制备方法 894     

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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提高透射电镜图像质量的平面样品制备方法。首先通过电性测试方法获取失效点位置，之后根据失效点位置于待测样品正面形成第一开口、于待测样品背面形成第二开口；并继续将待测样品放置于沸腾的胆碱配比溶液中保持5-10min，以彻底去除第二开口底部的硅衬底；然后通过刻蚀工艺去除第一开口下方的绝缘层和第二多晶硅层；最后利用透射电镜图像来分析失效点。通过本方法使失效区域多晶硅透射电镜图像不受非缺陷区域的干扰，得到一个较为均匀清晰的待测样品的透射电镜图像，从而更容易发现缺陷，以进一步提高器件缺陷分析的效率。

机载电子信息装备BIT虚警率预计的方法 762     

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本发明公开了一种机载电子信息装备BIT虚警率预计的方法，涉及电路产品测试性设计领域，包括待分析的电子信息装备及构成所述电子信息装备的元器件，该方法还包括以下步骤：获取所述电子信息装备的失效率记为λ_s及所述电子信息装备内BITE装置及监测电路总的失效率记为λ_n；获取所述电子信息装备的任务持续时间t_s；计算在所述任务持续时间内发生虚警的概率P_A；计算在所述任务持续时间内发生的BIT虚警率γ_FA；本发明提供了一种有效的方法，使电子设备在设计阶段能对产品的BIT虚警率进行量化评估，以提升电子信息装备的测试性设计水平。

基于MooN架构获取定期试验周期的计算方法 938     

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本发明公开一种基于MooN架构获取定期试验周期的计算方法，将N个通道的正常状态与失效状态进行不同组合，以得到N个通道中N-M+1个通道失效的系统失效组合，其中，假设每个通道的失效率λ相同，针对安全系统的定期试验周期为T，定期试验带来的风险降低为Q，利用上述设定通过对通道的组合方式分析得到的结果，与T进行比较，当两者接近时即可得到待测系统的定期试验周期。本发明根据通用可靠性理论和核电中关于定期试验周期的计算方法，解决了在不同的试验策略下，不同的符合逻辑情况下的通用逻辑符合结构进行初始试验周期的确定方法，本发明思路方法明确，公式统一，能够适用于所有的逻辑结构。

扰码验证方法 584     

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本发明公开了一种扰码验证方法，针对存储器芯片的失效分析，包含：第一步，找出存储器芯片设计版图上存储区冗余的行和/或列；第二步，针对找出的冗余的行和/或列上，将任意指定物理地址的单元位进行技术处理使之失效，记录该失效的物理地址；第三步，进行电学测试分析，将冗余行和/或列内电学测试失效的单元通过逻辑运算公式得出其物理地址；若与记录的失效物理地址比对一致，则验证成功。本发明所述的扰码验证方法，无需通过物理手段破坏晶圆，任意在测芯片均可实时验证，能大大缩短测试周期。 1

制备TEM样品的方法 646     

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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种制备TEM样品的方法，通过在获取失效芯片的失效点位置以及非失效芯片的失效分析参考点的位置后，将失效芯片沿垂直于选定侧面的方向抛光至失效点的附近，并将非失效芯片沿垂直于该选定侧面的方向抛光至失效分析参考点的附近，之后将失效芯片的正面和非失效芯片的正面粘合在一起形成一待测结构，并将待测结构的抛光面朝上放入FIB机台进行TEM样品的制备工艺，从而可以快速的制备出TEM样品，且可以在拍摄高分辨率图片时找到最合适的厚度，确保高分辨率图片的质量。

防止探针卡烧针的方法 732     

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本发明公开了一种防止探针卡烧针的方法，在对样品进行失效分析的测试过程中，进行如下步骤：第1步，对样品进行开短路测量；第2步，进行电源短路预测量，判断电源短路预测量的失效情况；第3步，进行电源短路测量，并判断电源短路测量的失效情况；第4步，进行上电功能测试。本发明所述的防止探针卡烧针的方法，在常规的失效分析方法中，增加电源短路预测量以及电源短路测量步骤，将有短路特征的芯片首先筛选出来，后续测试避开这些短路的芯片，能有效防止探针卡烧针。

超薄平面透射电镜样品的制备方法 1075     

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本发明涉及一种超薄平面透射电镜样品的制备方法。包括以下步骤：提供具有待观测的失效分析点的芯片；对芯片进行截取得到TEM样品；在TEM样品上靠近失效分析点处形成停止标记，并研磨TEM样品的横截面至停止标记；在TEM样品横截面的失效分析点上镀Pt保护层；在第二薄膜层上靠近失效分析点处挖凹坑，并减薄第二薄膜层；将TEM样品放置在沸腾的胆碱配比溶液中反应；采用聚焦离子束对TEM样品进行切断，得到目标层样品。本发明的一种超薄平面透射电镜样品的制备方法，既可以准确定位样品，又可以得到厚度在十几个纳米的TEM目标层样品，避免了平面透射电镜受到前层多晶硅或者后层多晶硅对待观察区域的干扰，大大提高了失效分析中判断定位的准确性。

基于等效电路的晶体管可靠性表征方法 1032     

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本发明提供一种基于等效电路的晶体管可靠性表征方法，包括以下步骤：S1、根据晶体管类型确定晶体管的等效电路；S2、确定用于寿命加速试验的应力的类型和大小，并确定等效电路中的敏感参数退化模型；S3、对晶体管进行寿命加速测试；S4、定时采集晶体管的测试数据，提取等效电路敏感参数，得到等效电路敏感参数随应力和时间的变化关系；S5、对所述敏感参数退化模型中的待定常数进行拟合，得到完整敏感参数退化模型和完整等效电路；S6、对晶体管进行失效机制分析和可靠性分析。本发明可用于模拟器件失效机制对电路性能的影响，可以分析晶体管的失效机制，指导工艺改进，还可以预测晶体管的性能退化量和失效时间，缩短可靠性试验时间。

基于呼叫中心系统的黑名单管理系统及其实现方法 1024     

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本发明公开一种基于呼叫中心系统的黑名单管理系统及其实现方法，其系统，包括：黑名单管理模块，设定黑名单生成、失效的规则、参数；数据采集模块，实时或定时，对呼叫参数进行采集，并将该采集到的呼叫参数保存到数据库中；数据分析及处理模块，对该呼叫参数进行分析，根据该黑名单生成、失效的规则、参数，将符合黑名单条件的数据更新到黑名单资料库中；黑名单检索模块，将传递进来的数据在黑名单资料库中进行检索，并将结果返回给呼叫中心系统；该系统可根据设定好的规则、参数，对客户拨打的呼叫历史记录、拨打频率、通话过程中敏感关键字的识别以及拨打时间段、时长数据的采集分析，自动实现对黑名单的管理和维护，节省了维护人力和成本。

车载电池包压差大问题的解析方法 827     

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本发明公开了一种车载电池包压差大问题的解析方法，首先对电池进行分析并寻找失效模组；其次，测试失效模组的静态电压及内阻，其中，按静态电压的不同将失效模组分为低于正常使用电压范围但高于0V的失效模组、在正常使用电压范围内的失效模组和接近0V的失效模组；最后，从失效模组中寻找失效电芯，并对失效电芯进行拆解，分析其失效原因并进行改进。本发明的有益效果：本发明从压差大故障模组入手，通过容量、直流内阻、拆解及自放电分析等方面分析故障模组出现故障的电芯，再通过电芯拆解找出电芯失效的根本原因，指导电芯生产改善电芯质量，从根本上减少电池包压差大的故障率。

去除芯片陶瓷封装体的方法 628     

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本发明提供一种去除芯片陶瓷封装体的方法,所述芯片粘贴在所述陶瓷封装体上,所述芯片表面的焊点与所述陶瓷封装体上的引脚之间通过引线键合,包括以下步骤:去除所述连接芯片表面焊点与陶瓷封装体上的引脚的引线;对所述芯片及所述陶瓷封装体进行加热;使用去离子水对所述芯片进行冲洗,使所述芯片从所述陶瓷封装体上脱落。本发明提供的去除芯片陶瓷封装体的方法不会损害芯片内部的金属互连线,保证了利用完成了电迁移测试的芯片进行进一步失效分析时可得到准确的失效分析结果。该方法易操作,且可取得明显的有益效果。

电器和智能功率模块 959     

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本实用新型公开了一种电器和智能功率模块，所述智能功率模块包括：驱动压缩机的第一至第六开关管；驱动风机的第七至第十二开关管；与第一至第六开关管相连的第一驱动器；与第七至第十二开关管相连的第二驱动器；与第一驱动器和第二驱动器相连的控制芯片；至少一个监测端，至少一个监测端监测智能功率模块中的运行参数。本实用新型的智能功率模块，通过对智能功率模块中的运行参数进行监测，并及时进行存储，确保智能功率模块能保存失效前一段时间监测的运行参数，以便提供给分析人员，分析人员可根据数据分析出智能功率模块的失效位置，以及引起失效的主要原因，提高了排除智能功率模块失效的薄弱环节的效率，增强了智能功率模块的可靠性。

齿轮箱模型式诊断方法、工具以及计算机可读取存储介质 667     

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本发明涉及齿轮箱的故障与损伤诊断,以便预测齿轮箱的运行寿命。进行下线测试以推断关于生产线上的每个齿轮箱的信息。对齿轮箱创建高度详尽模型,以确定用于下线测试的最佳传感器位置,从而使得测试能够区分不同类型的制造变化。这些信息可以被用来为每个齿轮箱创建一个独特的、高度详尽的模型。在运行过程中,在规则间隔测量齿轮箱上作用的力和力矩,并运用模型持续更新齿轮箱每个部件的累积损伤预测。接着计算在给定时间段内的失效概率。比如振动分析的已有状态监控系统可以与模型式诊断方法同时使用。计算所需寿命的总体失效概率,如有必要,可以限制运行,以提供在给定时间段内所需的失效概率。

电源板卡试验数据自动处理方法及系统 598     

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本发明公开了一种电源板卡试验数据自动处理方法及系统。其中，电源板卡试验数据自动处理方法应用于上位机，该试验数据自动处理方法包括如下步骤：根据试验执行指令获取预先编码的各被测电源板卡的试验状态信息；根据试验执行指令对各被测电源板卡的试验状态信息进行数据分析，该数据分析包括失效被测电源板卡的试验时长、失效被测电源板卡的数量、未失效电源板卡的伪寿命t及所有被测电源板卡的平均故障间隔时间MTBF点估计值和MTBF的置信下限MTBFL；根据MTBF点估计值、MTBF的置信下限MTBFL和伪寿命t分析所有被测电源板卡的可靠性评估结果。本发明直接利用上位机对试验数据进行自动分析处理，能有效提高数据处理效率。

DRAM的修复方法 920     

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本发明公开了一种DRAM的修复方法，包括以下步骤：1)DRAM芯片测试项分类，分为SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项；2)对SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项产生的失效地址分别存储；3)SA缺陷测试项的失效地址分析并进行修复；4)将步骤2)中DRAM的其它测试项产生的失效地址和按照步骤3)处理后的SA缺陷测试的失效地址进行合并；5)对合并后的失效地址进行读取；6)对读取的失效地址进行修复；6)最后产生DRAM修复方案。通过分析SA缺陷测试项的失效地址的处理及修复，将开放式位线DRAM结构中有潜在缺陷的SA同时替换，有效保证了颗粒级测试良率的稳定，使得芯片修复可靠性的提升，同时降低了芯片的DPM。

自动降级监控处理装置 786     

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本实用新型涉及一种自动降级监控处理装置，其中包括核心板和灯控板，所述的核心板与灯控板之间建立连接，其中所述的核心板包括硬件看门狗电路；所述的灯控板包括灯电流灯电压检测技术电路。采用本实用新型的自动降级监控处理装置，解决信号机在运行过程中故障诊断技术缺乏、故障类别分析技术以及自降级处理机制的不合理不完善的问题，在核心板失效的情况下进入故障自动降级后可由灯控板接管工作，灵活地实现单点多时段点灯控制，避免了目前的交通信号机在该故障下直接跳入黄闪状态的情况，确保信号机安全有序运行，提高可靠性和疏导效率，具有更广泛的应用范围。

燃煤电厂烟气低温脱硝装置 841     

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本实用新型提供一种燃煤电厂烟气低温脱硝其装置，该装置包括除尘器、脱硫罐、除白烟装置、加热器、低温SCR脱硝反应器、尾气风机及在线烟气检测分析系统。其中，烟气经过除尘、脱硫、除水后，与氨气混合进入低温SCR反应器内进行脱硝。本实用新型实施例的烟气脱硝装置，采用低温脱硝催化剂，且布置与除尘脱硫后，避免了烟气含尘量大、含硫量高，使催化剂中毒、失效等问题；反应温度低，且装置费用低，安装方便，不会影响火电厂锅炉本体结构，操作简单，既满足了脱硝的环保要求，又具有很大的经济效益。