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TaVIn1-xMxSBrF1-yIy∶Rez, Au0.1光存储发光材料及其制备方法

667   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:25
本发明属于光存储发光材料,特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像,工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、镉离子共激活的TaVIn1-xMxSBrF1-yIy∶Rez,Au0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料,所匹配的波长段为650纳米-1000纳米之间的一个可调节宽带,适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。大大提高了利用该样品涂覆制成的x线影像板的使用方便性,增加了选择匹配激励光源的弹性范围。特别是通过聚合物表面包覆进一步提高了其发光性能。
声明:
“TaVIn1-xMxSBrF1-yIy∶Rez, Au0.1光存储发光材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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