合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 真空冶金技术

> 离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法

离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法

981   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:23
本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法,其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言,在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中,植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂,此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-,其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
声明:
“离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
真空冶金
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记