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单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺

834   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:46:02
本发明涉及一种单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺。其特点是,包括如下步骤:(1)将装好硅片的夹具放入等离子体刻蚀机腔体,硅片数量200~1000片;(2)抽真空;(3)通入反应气体CF4和O2,控制CF4流量在190-210sccm,O2流量25-35sccm,直至工作压力达到200-220psig;(4)辉光放电,气体反应;(5)再次抽真空,然后恢复常压;(6)打开腔体门,取出夹具,卸片即可。本发明提供了一种物理冶金法单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺,适用于125×125mm物理冶金法单晶硅太阳能电池,采用该工艺可以去除扩散后硅片边缘的短路环,使刻蚀后的硅片符合工艺要求,杜绝过刻或刻不透。
声明:
“单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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